高精度納米級壓電位移平臺“PIEZOCONCEPT”!
--半導體界后摩爾時(shí)代的手術(shù)刀。
第三代半導體是后摩爾時(shí)代實(shí)現芯片性能突破的核心技術(shù)之一,*性能和廣泛的下游應用使相關(guān)廠(chǎng)商存在良好發(fā)展前景。隨著(zhù)下游終端需求改善,下游結構升級及國產(chǎn)替代是半導體界發(fā)展的趨勢。然而運動(dòng)控制核心部件對于眾多產(chǎn)業(yè)布局,往往起到了關(guān)鍵性作用;高精度納米級壓電位移平臺,仍然是眾多企業(yè)亟不可待的關(guān)鍵產(chǎn)品。
昊量光電推出“PIEZOCONCEPT”公司高精度納米級壓電位移平臺系列產(chǎn)品,它的產(chǎn)品猶如一把手術(shù)刀,具備精確、鋒利、專(zhuān)業(yè)、值得信任的特點(diǎn);它代表著(zhù)高精度、高穩定性、高響應速度、高抗疲勞性。
下面對“PIEZOCONCEPT”產(chǎn)品進(jìn)行詳細的介紹:
1.PIEZOCONCEPT單軸位移平臺
PIEZOCONCEPT單軸位移平臺產(chǎn)品是可以在單個(gè)維度上提供精確定位的產(chǎn)品,主要包含X軸壓電平臺、Z軸壓電平臺、物鏡掃描臺、快速反射鏡。
X軸產(chǎn)品圖片
Z軸產(chǎn)品圖片
一維掃描平臺
一維快反鏡
2.PIEZOCONCEPT兩軸位移平臺
兩軸壓電平臺可以提供兩個(gè)維度上的平移或偏轉,主要包括XY二維壓電納米位移臺和二維快反鏡。
XY軸壓電平臺
二維快反鏡
3.PIEZOCONCEPT三軸位移平臺
XYZ軸壓電平臺
4. PIEZOCONCEPT位移臺 du特優(yōu)勢
昊量光電推出“PIEZOCONCEPT”高精度單軸、雙軸、三軸納米級壓電位移臺、物鏡掃描臺、快反鏡系列產(chǎn)品;該壓電平臺以壓電陶瓷為驅動(dòng),采用了柔性鉸鏈連接的方法,具備精確導向性、高穩定性、高抗疲勞性的特點(diǎn),同時(shí)搭配高精度硅基位移傳感器、16Bit高分辨率高速控制器,具有高響應速度,亞納米級的分辨率,超低底噪(10-50pm)和超高線(xiàn)性度(0.02%),廣泛應用于高精密位移領(lǐng)域,包括但不局限于半導體領(lǐng)域。
功能的du特優(yōu)勢包括:
亞微米級別的重復定位精度
穩定性遠遠優(yōu)于同類(lèi)產(chǎn)品
0-1500微米級的移動(dòng)范圍
傳統壓電位移臺的特點(diǎn) | PIEZOCONCEPT壓電位移臺的優(yōu)勢 |
-分辨率的局限 | 高分辨率:0.005nm/urad(Max) |
-有限的運動(dòng)軌跡范圍,平均0-300um移動(dòng)范圍 | 0-1500um移動(dòng)范圍 |
-較低線(xiàn)性度 | 超高線(xiàn)性度(0.02%) |
-位移傳感器存在差異(以電容傳感器為主),鉸鏈存在無(wú)效運動(dòng) | 采用高精度硅基位移傳感器與柔性鉸鏈具備高可靠、長(cháng)壽命 |
-較高的底噪
|
超低底噪(10-50pm) |
-速度的局限 |
超高速:諧振頻率7000Hz(Max)
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5.PIEZOCONCEPT使用什么類(lèi)型的傳感器?為什么它優(yōu)于其他傳感器技術(shù)?
PIEZOCONCEPT使用單晶硅傳感器,稱(chēng)為硅基位移傳感器。盡管它是應變傳感器大家族的一部分,但它優(yōu)于其他兩種常用傳感器(電容式傳感器和金屬應變傳感器)。這兩種傳感器與PIEZOCONCEPT單晶硅傳感器相比都有明顯的缺點(diǎn)。
電容式傳感器與PIEZOCONCEPT硅基位移傳感器相比,對以下方面很敏感:
•氣壓變化:空氣的介電常數取決于氣壓。測量將受到任何壓力變化的影響。
•溫度變化:空氣的介電常數也會(huì )隨溫度變化。
•污染物的存在。
以上所有這些都會(huì )導致納米級的一些不穩定性,即使可以對空氣壓力和溫度進(jìn)行校正,也不可能校正其它因素(污染物、排氣)的影響。這解釋了電容式傳感器在真空環(huán)境中性能不佳的原因。此外,電容傳感器非常昂貴和笨重。硅HR傳感器技術(shù)是一種固態(tài)技術(shù),它的電阻不依賴(lài)于空氣壓力或污染物的存在。其次,雖然溫度變化對測量有影響(主要是因為材料的熱膨脹),但這可以通過(guò)使用傳感器陣列進(jìn)行校正?;旧?,PIEZOCONCEPT在每個(gè)軸上使用兩個(gè)平行的硅傳感器,一個(gè)用于測量,另一個(gè)用于考慮溫度變化引起的材料膨脹。
6.金屬應變傳感器與PIEZOCONCEPT硅基位移傳感器的比較。
金屬應變傳感器和PIEZOCONCEPT硅基位移傳感器之間的差異更大。
第1個(gè)區別是應變系數:半導體應變傳感器(硅基位移傳感器)的應變系數大約是金屬應變傳感器的100倍。更高的應變系數導致更高的信噪比,zui終導致更高穩定性。
第2個(gè)區別是金屬應變傳感器不能直接安裝在撓曲裝置上(也就是實(shí)現運動(dòng)的地方):金屬應變傳感器必須安裝在某種“背襯”上,這就導致了壓電致動(dòng)器存在蠕變或滯后現象。由于壓電致動(dòng)器的膨脹不均勻,因此僅測量致動(dòng)器的一部分伸長(cháng)率無(wú)法精確推導其完整伸長(cháng)率。硅基位移傳感器是通過(guò)對撓曲本身進(jìn)行測量,不存在這種“不均勻性”問(wèn)題。
綜上所述,硅基位移傳感器在環(huán)境背景中優(yōu)于電容式傳感器,在信噪比和穩定性方面優(yōu)于金屬應變傳感器。
關(guān)于昊量光電:
上海昊量光電設備有限公司是光電產(chǎn)品專(zhuān)業(yè)代理商,產(chǎn)品包括各類(lèi)激光器、光電調制器、光學(xué)測量設備、光學(xué)元件等,涉及應用涵蓋了材料加工、光通訊、生物醫療、科學(xué)研究、國防、量子光學(xué)、生物顯微、物聯(lián)傳感、激光制造等;可為客戶(hù)提供完整的設備安裝,培訓,硬件開(kāi)發(fā),軟件開(kāi)發(fā),系統集成等服務(wù)。
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