| 產(chǎn)地類(lèi)別 | 進(jìn)口 |
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光彈調制器
美國Hinds Instruments, Inc公司是世界著(zhù)名的（同時(shí)也是世界*的一家）光彈調制器（photoelastic modulators）生產(chǎn)商。Hinds Instruments公司的PEM可以控制光束的偏振狀態(tài)的改變，調制速率為20~100kHz。（PEM）的作用就像一個(gè)“動(dòng)態(tài)的波片”，可以使快軸和慢軸之間產(chǎn)生一個(gè)周期變化的折射率差，從而控制透過(guò)光束的偏振進(jìn)行周期性的變化。具體而言即，（photoelastic modulators）通過(guò)對線(xiàn)偏振光添一定的相位使輸出光在圓偏振、橢圓偏振、線(xiàn)偏振等狀態(tài)之間井進(jìn)行變化，同時(shí)（PEM）還可以使光在左旋、右旋兩種狀態(tài)之間進(jìn)行切換。
對比聲光調制器、電光調制器、液晶調制器的*之處包括：
? 非常大通光孔徑（15到30mm，標準），同時(shí)保持很高的調制器頻率
? 超大接受角度（市場(chǎng)角）范圍（+/- 20°）
? 波長(cháng)覆蓋范圍大（170nm~10um，FIR~THZ）
? 高損傷閾值
? 可精確控制相位延遲
美國Hinds Instruments, Inc公司PEM電學(xué)和光學(xué)頭封裝在不同的部件中。這樣能夠zui小化光學(xué)系統單元的尺寸，同樣也使得光學(xué)頭與磁場(chǎng)或真空兼容（當這些有需要的時(shí)候）。
需要進(jìn)一步了解關(guān)于原理，請點(diǎn)擊這里
應用舉例：
在偏振方向調制中的應用介紹.pdf
Hinds Instruments主要分為兩個(gè)系列：
Series I 系列使用矩形光學(xué)原件，波長(cháng)覆蓋紫外、可見(jiàn)光和紅外至1或者2um。
Series II系列使用對稱(chēng)或者八角形的光學(xué)原件，波長(cháng)覆蓋可見(jiàn)和紅外（到中紅外）頻譜區域。特殊的型號可用于紫外。
Hinds Instruments公司的光學(xué)頭使用不同的光學(xué)材料，材料的選取主要取決于儀器頻譜透射率的需要。表1列出了通常使用的材料。
| TABLE 1 |
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| SPECTRAL REGION | SERIES | MATERIAL |
| Vacuum UV, UV | I | Lithium Fluoride |
| Vacuum UV to mid-IR | I,II | Calcium Fluoride |
| Vacuum UV to near-IR | I,II | Fused Silica |
| Mid-visible to mid-IR | II | Zinc Selenide |
| Near- to mid-IR | II | Silicon |
相對于Series II八角形光學(xué)元件，Series I矩形的光學(xué)元件在相同厚度的情況下，相位延遲量更少。在紅外波段，這是一個(gè)缺點(diǎn)，但是在紫外波段，尤其是真空紫外，這則變成為了一個(gè)很大優(yōu)點(diǎn)。
八角形（Series II）光學(xué)元件在給定的厚度下更加的有效率，因此在紅外波段有更多的優(yōu)勢。使用Series II操作低延遲量（例如：深紫外）或許會(huì )造成一些問(wèn)題。
可選選項（規格和價(jià)格會(huì )因為客戶(hù)需要而改變，詳情詢(xún)問(wèn)昊量光電的工程師）
- ? 增透膜，Model ARC。防反射膜可用于任何光學(xué)調制器上，窄帶寬和寬帶寬鍍膜都可得。
- ? 請昊量光電關(guān)于頻譜范圍和透射率要求
- ? 無(wú)干涉選項，Model NIO。這一項用于偏轉光束路徑，因此消除了調制器干涉
- ? 特殊頻率，Model SFO。標準的調制頭配以特殊頻率
- ? 特殊光學(xué)頭/電學(xué)頭電纜，Model SLHH
- ? 特殊調制頭附件，Model SHE。光學(xué)頭可以根據客戶(hù)需要提供特殊形狀
- ? 真空操作。PEM可用于真空環(huán)境，詳情請詢(xún)問(wèn)Hinds
-
磁場(chǎng)兼容選項，Model MFC。光學(xué)頭不含任何磁鐵材料，用于強磁場(chǎng)中
基本指標
| Model | Optical Material | Nominal Frequency | Retardation Range | Useful Aperture1 | |
| Quarter Wave | Half Wave | ||||
| I/FS50 | Fused Silica | 50 kHz | 170nm - 2μm | 170nm - 1μm | 16mm |
| I/FS20 | Fused Silica | 20 KHz | 170nm - 2μm | 170nm - 1μm | 22mm |
| I/CF50 | Calcium Fluoride | 50 kHz | 130nm - 2μm | 130nm - 1μm | 16mm |
| II/FS20A | Fused Silica | 20 kHz | 170nm - 2μm | 170nm - 1μm | 56mm |
| II/FS20B | Fused Silica | 20 kHz | 1.6μm - 2.6μm | 800nm - 2.5μm | 56mm |
| II/FS42A | Fused Silica | 42 kHz | 170nm - 2μm | 170nm - 1μm | 27mm |
| II/FS42B | Fused Silica | 42 kHz | 1.6μm - 2.6μm | 800nm - 2.5μm | 27mm |
| II/FS47A | Fused Silica | 47 kHz | 170nm - 2μm | 170nm - 1μm | 24mm
|
| II/FS47B | Fused Silica | 47 kHz | 1.6μm - 2.6μm | 800nm - 2.5μm | 24mm |
| II/FS84 | Fused Silica | 84 kHz | 800nm - 2.5μm | 400nm - 2.5μm | 13mm |
| II/IS42B | Fused Silica | 42 kHz | 1.6μm - 3.5μm | 800nm - 2.5μm | 27mm |
| II/IS84 | Fused Silica | 84 kHz | 800nm - 3.5μm | 400nm - 1.8μm | 27mm |
| II/CF57 | Calcium Fluoride | 57 kHz | 2μm - 8.5μm | 1μm - 5.5μm | 23mm |
| II/ZS37 | Zinc Selenide | 37 kHz | 2μm - 18μm | 1μm - 9μm | 19mm |
| II/ZS50 | Zinc Selenide | 50 kHz | 2μm - 18μm | 1μm - 10μm | 14mm |
| II/SI40 | Silicon | 40 kHz | FIR - THz | FIR - THz | 36mm |
| II/SI50 | Silicon | 50 KHz | FIR - THz | FIR - THz | 29mm |
美國Hinds Instruments, Inc公司相關(guān)文獻請參考：http://www.auniontech。。ｃｏｍ/n/document/v_Paper_of_Hinds.html
光彈調制式反射差分光譜儀的理論分析.pdf
在偏振方向調制中的應用.pdf
應用的Mueller矩陣分析.pdf
式多通道反射差分光譜技術(shù).pdf
定標新方法.pdf
光彈調制差分反射分析系統的建立與應用.pdf
使用測量D-丙氨酸單晶低溫變溫光學(xué)性質(zhì)的研究.pdf
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