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磁光克爾(MOKE)效應測量系統
當一束線(xiàn)偏振光照被磁性介質(zhì)反射后，反射光的偏振面相對于入射光的偏振面有一個(gè)小的角度偏轉（克爾旋轉角），這一現象被稱(chēng)為磁光克爾效應。后來(lái)這一效應被用來(lái)材料磁特性的研究。磁光克爾效應測量系統就是一套精確測量克爾旋轉角的設備。磁光克爾效應測量系統是對極向克爾效應和縱向克爾效應克爾偏轉角精確測量的設備，使得該設備成為研究磁性薄膜磁特性的的測量工具。廣泛的應用于磁性納米技術(shù)、磁性薄膜等磁學(xué)領(lǐng)域。
磁光克爾效應測量系統以激光作為光源，由于樣品磁光克爾效應的磁性信號主要來(lái)自于光斑照射的區域，因此磁光克爾效應測量系統具有良好的局域性，可以實(shí)現在微米區域內材料磁特性的研究。此外以偏振激光束作為“探針”，因此對樣品不會(huì )造成任何損傷，實(shí)現對樣品的無(wú)損測量，這對于需要做多次測量的樣品是非常有利的。
磁光克爾效應測量系統具有*的靈敏度，對克爾旋轉角的探測精度可達到±0.001度。這一點(diǎn)使該設備在磁性薄膜磁特性的研究中具有重要的地位。利用鐵芯電磁特產(chǎn)生外加磁場(chǎng)，可以提供高達25KOe的外加磁場(chǎng)。
磁光克爾(MOKE)效應測量系統
磁光克爾效應測量系統、磁性測量系統、MOKE system、微米區域克爾磁光效應測量系統、磁滯回線(xiàn)測量裝置
上海昊量光電設備有限公司的磁光克爾測量系統主要可分為以下三類(lèi)：
① 極向測量磁光克爾效應測量設備（MOKE磁滯回線(xiàn)測量系統）
代表產(chǎn)品是BH-810系列。BH-810CPC25WF12磁光克爾效應(MOKE)測量設備是其中的一款，主要是對12英寸的垂直磁記錄介質(zhì)磁特性的測量?？梢跃_的探測分析每個(gè)探測點(diǎn)的磁滯回線(xiàn)，該產(chǎn)品應用408nm的固體激光器，光斑直徑為1mm，外加磁場(chǎng)可高達25KOe。
② 向測量磁光克爾效應測量設備（MOKE磁滯回線(xiàn)測量系統）
代表產(chǎn)品BH-618系列。BH-618SK-CA12是一款自動(dòng)測量晶圓磁特性和各向異性的磁光克爾測量系統?？梢詫?2寸的晶圓進(jìn)行多達400個(gè)不同點(diǎn)的磁滯回線(xiàn)的測量，并且探測結果以成像的形式顯示。
③ 微區域磁光克爾效應測量系統（m-kerr system）（極向+縱向，MOKE磁滯回線(xiàn)測量系統）
代表產(chǎn)品為BH-920系列。與前兩款產(chǎn)品相比， BH-920系列擁有更小的激光光斑，可以對微米區域內的磁特性進(jìn)行研究。BH-P920-NH是可進(jìn)行極向的微區域磁光克爾效應測量系統，該設備具有*的靈敏度可達到0.001°。與BH-P920-NH相比BH-PI920不但具相同的探測靈敏度并且兼具進(jìn)行極向和縱向測量。
磁光克爾(MOKE)效應測量系統
u 主要特點(diǎn)
- 高性能
- 成本低
- 高靈敏度（0.001°）
- 高穩定性
- 高外加磁場(chǎng)（25KOe）
u 主要應用
磁性納米技術(shù)、磁性薄膜，磁性材料等磁學(xué)領(lǐng)域
u 測量項目
磁滯回線(xiàn) | X軸：外加磁場(chǎng)強度 H |
Y軸：克爾旋轉角 qk | |
通過(guò)磁滯回線(xiàn)可獲得的參數 | 矯頑力 Hc |
各向異性場(chǎng) Hk | |
內稟矯頑力 Hn | |
飽和磁場(chǎng)強度 Hs | |
剩余磁化強度 qr | |
飽和磁化強度 qs |
u 產(chǎn)品主要參數：
產(chǎn)品型號 參數 | BH-PI920系列 | BH-P920-NH | BH-PI920 | BH-810CPC25WF12 | BH-618SK-CA12 |
產(chǎn)品特點(diǎn) | 微區域測量系統可滿(mǎn)足縱向/極向測量 | 極向微區域克爾測量裝置，具有高靈敏度 | 微區域測量系統可滿(mǎn)足縱向/極向測量，具有較高的靈敏度 | 極向磁光克爾效應測量，對PMR薄膜晶圓的磁特性測量 | 縱向磁光克爾測量系統，可進(jìn)行多點(diǎn)磁滯回線(xiàn)的測量 |
激光光源 | 半導體激光器（405nm） |
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| 半導體激光器（408nm） | 半導體激光器（405nm） |
光斑直徑 | 縱向測量 約 5mm [1/e2] | 1-2mm | 2-3mm | 1mm | 1´2mm |
極向測量 約 2mm [1/e2] | |||||
探測靈敏度 | ± 0.005° | ±0.001° | ±0.001° | ± 0.005° | ± 0.005° |
探測范圍 | ± 1° |
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外加磁場(chǎng)強度 | 極向磁體 >±10kOe | >±10kOe | 極向磁場(chǎng) >±1.5T | >±25kOe | >±0.2T |
面內磁場(chǎng) >±10kOe | 面內磁場(chǎng) >±1T | ||||
可測樣品大小 | 5´5´1tmm~10´10´1tmm |
| 5´5~10´10mm t：0.5~1mm | 12inch wafer | 12inch wafer |
上海市徐匯區虹梅路2007號6號樓3樓
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