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高精度變溫霍爾效應測試儀(70-730K)

簡(jiǎn)要描述:高精度變溫霍爾效應測試儀(70-730K)利用范德堡測量技術(shù)對半導體材料的電阻率、載流子濃度、磁致電阻率、霍爾系數、電子遷移率等進(jìn)行測量,用來(lái)表征和了解材料的物理性質(zhì)。

  • 產(chǎn)品型號:
  • 廠(chǎng)商性質(zhì):代理商
  • 更新時(shí)間:2021-06-02
  • 訪(fǎng)  問(wèn)  量:3438
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高精度變溫霍爾效應測試儀(70-730K)

變溫霍爾效應測量?jì)x是利用范德堡測量技術(shù)對半導體材料的電阻率、載流子濃度、磁致電阻率、霍爾系數、電子遷移率等進(jìn)行測量,用來(lái)表征和了解材料的物理性質(zhì)。昊量光電的寬帶變溫霍爾效應測量?jì)x主要可包括霍爾效應測量、變溫恒溫器、外加磁場(chǎng)三部分。

高精度變溫霍爾效應測試儀(70-730K)

變溫霍爾效應測量?jì)x利用不同范德堡方法可以在不同溫度下對材料的電阻率、載流子濃度、磁致電阻率、霍爾系數、電子遷移率進(jìn)行測量。該設備采用焦耳-湯姆遜平臺可以為樣品提供70-730K廣泛的變溫范圍,利用溫度控制器使展現的溫度穩定性和重復性,控溫精度可達到±0.1K,分辨率可達到0.01K,并對溫度變化有極快的響應速度。采用zui大可提供1.4T的電磁鐵施加外磁場(chǎng),并可根據需要選配不同的電磁鐵。配備霍爾測量控制器,樣品電流范圍為10-12-0.01 A,樣品電壓可達到10-6-2.4V。采用靈活的模塊化設計,可以根據需要實(shí)驗和經(jīng)費需要組建理想的系統。

 

 

變溫霍爾效應測量系統、霍爾效應測量?jì)x,寬溫霍爾效應測量?jì)x,寬帶變溫霍爾效應測量,高精度霍爾效應測量?jì)x

 

昊量光電推出的變溫霍爾測量系統采用*的焦耳-湯姆遜平臺對樣品進(jìn)行高低溫處理,無(wú)需液體冷凍劑處理。當真空腔至少保持在8 mTorr時(shí),可以提供以下溫度范圍,室溫,70K-580K,80K-580K,70K-730K,80K-730K,室溫-730K,六種不同的溫度區間。配備AUK2000溫度控制器,可提供精確的溫度控制與測量并且擁有*的穩定性和重復性。該系統控溫精度可達到±0.1K,分辨率可達到±0.01K,對溫度的響應速度可達到1K/s。

 

 

霍爾效應測量?jì)x采用范德堡方法對霍爾效應和電阻率進(jìn)行測量,四個(gè)探針連接樣品,其中兩個(gè)輸入電流,其余兩個(gè)測量電壓。為了方便快速的切換樣品,與樣品表面接觸有彈簧探針和利用聚酰亞胺焊接兩種方法。彈簧探針可以使待測樣品與探針直接接觸,無(wú)需粘貼或焊接,這有效的避免了樣品在高溫下測試時(shí)焊點(diǎn)融化的問(wèn)題。而且在換樣品時(shí)更加快速方便。聚酰亞胺焊接法。當樣品尺寸非常小,或者有特殊幾何要求的樣品時(shí)采用該方法,此外利用彈簧探針無(wú)法達到優(yōu)質(zhì)的歐姆連接時(shí)也采用這種辦法?;魻杺鞲衅髟谡婵涨恢刑幵跇悠返南路?,可以對樣品所處磁場(chǎng)的大小進(jìn)行精確的測量。

 

 

寬帶變溫霍爾效應測量?jì)x采用電磁體或永磁鐵提供外加磁場(chǎng)。并有三種不同的電磁體可供選擇。電磁體可通過(guò)軟件和霍爾控制器進(jìn)行控制。AU-M-25是一個(gè)緊湊的低成本的永磁體,該電磁體既不需要水冷也不需要風(fēng)冷。該磁體可以提供5000高斯的單向外加磁場(chǎng),霍爾恒溫器在兩片電磁鐵之間,如果需要反向磁場(chǎng)可以把恒溫器反向插入即可。②A(yíng)U-MK-50是雙極電磁體,可提供變化的外加磁場(chǎng),zui高可達5000高斯,并可提供反向磁場(chǎng)和0磁場(chǎng)。此外兩電磁鐵之間的間距可以調節。該電磁鐵采用風(fēng)冷,但有水冷端口如果長(cháng)時(shí)間使用可采用水冷。③AU-M-150電磁鐵可提供變化的外加磁場(chǎng),zui高可高達14000高斯,可自由轉換磁場(chǎng)反向,對于高磁場(chǎng)和長(cháng)時(shí)間的使用,應利用水冷使電磁體降溫。

 

 

寬帶變溫霍爾效應測量?jì)x采用四點(diǎn)范德堡的方法測量,并通過(guò)霍爾測量控制器AUH5000來(lái)實(shí)現,AUH5000控制器是一個(gè)一體化的設備,既可以提供電流/電壓源、電流/電壓探測、磁場(chǎng)的測量和控制。該控制器可以通過(guò)USB或者RS-232與電腦連接通過(guò)軟件進(jìn)行上述操作。通過(guò)軟件可以完成溫度控制、霍爾測量等。

 

 

 

u  主要特點(diǎn)

  • 寬的操作溫度(70-730K
  • 的溫度穩定性和重復性(±0.1K
  • 高外加磁場(chǎng)(1.4T
  • 靈活配置的模塊設計,可以根據經(jīng)費和實(shí)驗需求組建系統
  • 低運行成本
  • 無(wú)機械、聲學(xué)和電子噪聲

 

u  主要應用

半導體材料(比如說(shuō)Si, Ge, GaAs, AlGaAs, CdTe, and HgCdTe)、電磁材料(磁電阻器件、GMR薄膜、稀磁半導體、超導體材料)的電阻率、載流子濃度、磁致電阻率、霍爾系數、電子遷移率測量

 

u  主要參數

SPECIFICATIONS FOR THE VARIABLE TEMPERATURE HALL SYSTEM

Operating Temperature Range:

Available between 70K and 730K (Joule-Thomson Thermal Stage)

Dimensions of Vacuum Chamber:

2.5 in wide x 6.0 in long x 0.75 in high (at sample end)

Weight of the Vacuum Chamber:

16 oz (454 grams) with thermal stage mounted

Sample Mounting Surface Size:

10 mm x 12 mm

Standard Window Material:

Fused silica

Maximum Sample Weight Allowed:

No more than 5 grams

Working Distance:

12 mm

Dimension Configurations:

-Spring Loaded Probe spacing: 0.1 in, 0.2 in, 0.3 in (2.25 mm, 5 mm, 10.5 mm)

-Kapton Harness space: not applicable

Electrical Connections:

Triax connectors.

Current Source Range:

-12 to 0.01 Amps

Voltage Measurement Range:

-6 to 2.4 Volts

Resistance (or Resistivity) Range: **

Typical range is 10 -4 Ohm*cm to 10 13  Ohm*cm (dependent on sample thickness)

Carrier Concentration Range: **

Approximate range is 10 3 cm -3 to 10 19 cm -3(dependent on sample thickness )

Mobility Range: **

Approximate range is 1 cm2 /volt*sec to 107 cm2/volt*sec

Sample Thickness:

0.001-2000 micrometer

Temperature Accuracy:

< 0.5K at 80K;  + /- 0.5K between 80K and 400K; < 1.5K from 400K to 730K

Temperature Stability:

* /- 0.1K

Temperature Resolution:

0.01 K

 

 

 

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