| 品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地類(lèi)別 | 進(jìn)口 |
|---|---|---|---|
| 應用領(lǐng)域 | 化工,綜合 |
半導體參數分析儀RTM2-霍爾源測系統
昊量光電全新推出的半導體參數分析儀RTM2-霍爾源測系統。利用半導體參數分析儀RTM2的集成開(kāi)關(guān)矩陣實(shí)現無(wú)限的精度和穩定性用于片狀、霍爾和電阻張量的測量。
半導體參數分析儀RTM2主要功能：
半導體參數分析儀RTM2專(zhuān)為自動(dòng)精密測量電阻和相關(guān)量而設計。半導體參數分析儀RTM2將直流和交流測量與集成開(kāi)關(guān)矩陣結合在一起。
半導體參數分析儀RTM2具有鎖定放大器的低噪、具有萬(wàn)用表 8 位以上的動(dòng)態(tài)范圍和穩定性，可研究 ppb 級效應。nΩ研究變得簡(jiǎn)單。
創(chuàng )新的連接器設計允許傳統的 BNC 操作與被動(dòng)屏蔽或主動(dòng)防護屏蔽。這將直流阻抗上限擴展到了 Tera-Ohm 范圍，并將交流帶寬提高了約兩個(gè)數量級，以測試MΩ器件。
半導體參數分析儀RTM2只需一臺設備就能自動(dòng)記錄完整的電阻張量（Rx、Ry、RH），即使是在無(wú)圖案的薄膜上。
半導體參數分析儀RTM2 可用于材料研究、薄膜表征以及傳感器、晶片和設備測試。在快速多路復用設置中進(jìn)行交流測試的能力，可在現場(chǎng)生產(chǎn)過(guò)程中實(shí)現更嚴格的元件分選。
半導體參數分析儀RTM2開(kāi)關(guān)矩陣的優(yōu)點(diǎn)：
萬(wàn)用表或鎖相放大器等傳統精密設備依賴(lài)于與被測設備（DUT）靜態(tài)連接的四線(xiàn)電阻測量方法。這種方法不可避免地會(huì )受到來(lái)自被測設備和測量設備本身的各種干擾影響。
惠斯通電橋或平版印刷霍爾條圖案等測量安排可用于減少某些干擾的影響，但它們都依賴(lài)于實(shí)際電阻器或蝕刻圖案的精確和穩定的對稱(chēng)性，這在實(shí)踐中是無(wú)法實(shí)現的。
相比之下，矩陣開(kāi)關(guān)可以在時(shí)域中分離干擾的影響。其中一個(gè)例子是van-der-Pauw范德堡方法，它可以精確區分縱向和橫向電阻，即使是在沒(méi)有光刻圖案的不規則形狀樣品上也是如此。
另一個(gè)例子是某些直流儀表采用的 "自動(dòng)歸零（auto-zeroing）"，以補償偏移漂移。但這還不夠。半導體參數分析儀RTM2的全矩陣切換功能及其與緊密多路交流測量的兼容性為我們帶來(lái)了無(wú)限可能。
可以對偏移和增益漂移進(jìn)行補償，從而實(shí)現無(wú)限的穩定性。這里的 "無(wú)限 "是字面意思：可實(shí)現的精度不是 7、8 或 10 位數，而是您愿意等待的位數。在自己的實(shí)驗室里進(jìn)入計量圈子吧！
還可以對整個(gè)儀器的復合非線(xiàn)性進(jìn)行補償。這樣就可以測試亞ppm 級的 I-V 非線(xiàn)性，從而在較低和較溫和的電流密度下看到更高階的傳輸物理。
半導體參數分析儀RTM2突出亮點(diǎn)
基于集成開(kāi)關(guān)矩陣的可重構設備架構
8 個(gè)用戶(hù)自定義端口（BNC 連接器），功能（輸入、輸出和/或參考）可自由確定
BNC 屏蔽可配置為無(wú)源接地或有源屏蔽
使用固定連接（開(kāi)爾文或霍爾幾何）進(jìn)行傳統的交流和直流 4 線(xiàn)測量
交替連接的交流和直流測量（電阻張量測量、范-德-波測量或電阻率測量）
同時(shí)測量薄膜縱向和橫向電阻的精確絕對值，無(wú)需光刻圖案
常用測量模式的軟件預設，可任何用戶(hù)特定的切換序列
基于 TCP 的通信，可輕松集成到任何環(huán)境中（如 Labview、C、Python）
半導體參數分析儀RTM2主要的優(yōu)勢：
可替代所有用于電氣特性測量的標準設備(例如鎖定放大器、SMU、DMM）
通過(guò)集成的矩陣開(kāi)關(guān)克服了靜態(tài) 4 點(diǎn)測量的局限性
提供范-德-波測量和電阻張量測量的預設值，并允許用戶(hù)進(jìn)行全面配置
無(wú)需進(jìn)行復雜的樣品制備（如平版印刷）。
可輕松連接多種不同的測量裝置（如探針臺、低溫恒溫器、真空系統等）
節省測量時(shí)間，提高樣品吞吐量
半導體參數分析儀RTM2主要的應用領(lǐng)域
材料研究與表征
固體物理
半導體物理
磁性器件
柔性電子器件
自旋電子學(xué)
新型功能電子材料和器件
工業(yè)研發(fā)和晶片/設備測試
微電子設備
存儲器
晶體管、二極管
LED/OLED
太陽(yáng)能電池
顯示器、TCO
傳感器
半導體參數分析儀RTM2典型測試示例：
在標準幾何結構（開(kāi)爾文和霍爾布局）中進(jìn)行超低噪聲、高穩定性交流和直流 4 線(xiàn)測量
對不規則、無(wú)結構薄膜樣品進(jìn)行范德保開(kāi)關(guān)連接 4 線(xiàn)測量
基礎物理學(xué)和計量學(xué)中的亞ppm 相對變化和非線(xiàn)性測量
零偏移霍爾 4 線(xiàn)測量（即使是非結構化樣品，也能準確分離縱向電阻和橫向電阻）
比率電阻測量，消除樣品和設備漂移
高驅動(dòng)諧波失真測量
脈沖和測量例程
半導體參數分析儀RTM2規格參數：
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關(guān)于昊量光電：
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