| 品牌 | 其他品牌 | 價(jià)格區間 | 10萬(wàn)-30萬(wàn) |
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| 組件類(lèi)別 | 其他 | 應用領(lǐng)域 | 綜合 |
SEM高速刻蝕子系統
XENOS刻寫(xiě)子系統是一種允許設計圖案數據并產(chǎn)生用于帶電粒子束（例如用于半導體光刻應用或聚焦離子束系統的電子束）轉向的相應偏轉信號的系統?？梢赃B接到傳統的掃描電子顯微鏡、FIB或雙光設備上，升級系統，在半導體或其他材料上進(jìn)行納米光刻。
高速刻寫(xiě)
可以實(shí)現高達40MHz的像素速率。由于采用了智能寫(xiě)入算法，可以考慮當前SEM的有限偏轉帶寬。優(yōu)化的數據傳輸和穩定時(shí)間計算與高寫(xiě)入速度相匹配，以提供快速寫(xiě)入的所有優(yōu)點(diǎn)。
智能且通用的格式
使用三階多項式掃描邏輯，可以?xún)H基于硬件以Max速度生成和寫(xiě)入這些多項式。因此，圓形、環(huán)形或橢球體可以由同心的單像素環(huán)書(shū)寫(xiě)，通常在曝光過(guò)程中不需要消隱。并且，可以用Min的數據開(kāi)銷(xiāo)和傳輸時(shí)間來(lái)實(shí)現理想的寫(xiě)入速度和近似質(zhì)量。此外，與結構的多邊形部分的光柵掃描相比，偏轉信號的正弦形狀消耗的偏轉帶寬要小得多。同時(shí)，寫(xiě)入算法對稱(chēng)地使用X軸和Y軸的帶寬。
高靈活性
模塊化系統可以進(jìn)行配置，以滿(mǎn)zu您的需求。邏輯配置和DSP內核可以在幾分鐘內更新，以提供新功能。
配置高，應用界面友好
完整的偏轉信號生成是在每軸16/32位的可編程邏輯器件中實(shí)現的。特別是場(chǎng)校正不使用帶寬限制的乘法模擬DAC，而是數字構建的，工作到Max寫(xiě)入速度，而在產(chǎn)生的偏轉信號中沒(méi)有任何失真。
控制軟件ECP基于Linux或Windows使用，CAD部分可在工作組中自由使用。
SEM刻蝕子系統應用圖例：
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